PhD-Position in der computergestützten Röntgenbildgebung und Halbleitermesstechnik — EPFL

Rollenüberblick

Mission Das neu gegründete Labor für Nanoscale Röntgen Metrology sucht einen motivierten Doktoranden, um rechnerische und experimentelle Methoden für hochauflösende 3D-Bildgebung zu entwickeln.

In dieser Rolle helfen Sie, neue Röntgenmikroskopie-Leistungs-Benchmarks zu etablieren, indem Sie die Grenzen der Abbildungsauflösung und der für Halbleiteranwendungen erreichbaren Probendicke schieben.

Um dies zu erreichen, wird sich das Projekt auf folgende Themen konzentrieren:

• Depth-of-Field Limitations: Bei einer Auflösung von 1 nm schrumpft die Feldtiefe auf nur hundert Nanometer, doch die hohe Röntgendurchdringung ermöglicht die Abbildung von Proben, die mehrere Größenordnungen dicker sind.

Das Projekt wird ein erweitertes Tiefenfeld-Rekonstruktionskonzept für dicke 3D-Proben entwickeln.

• Mismatch Zwischen Theorie und Experiment: Rekonstruktionsmethoden basieren auf idealisierten Bildbildungsmodellen, die unter extremen Abbildungsbedingungen abbrechen.

Die Erzielung einer leistungsstarken Bildgebung erfordert die Verbesserung der Modelle und die Entwicklung robuster rechnergestützter Optimierungsalgorithmen, um Probleme wie experimentelle Nanoskalation zu berücksichtigen.

• High-Performance 3D Imaging: Die Integration dieser Methoden in die Tomographie und Laminographie und die Durchführung von synchrotronbasierten Experimenten, um bisher "unseen" Eigenschaften in modernen Halbleiterbauelementen zu visualisieren.

Hauptaufgaben und Zuständigkeiten Projektbeschreibung Die Leistungsfähigkeit der Röntgenmikroskopie hat sich im letzten Jahrzehnt deutlich verbessert und ermöglicht eine synchrotronbasierte Röntgenaufnahme zur Lösung einzelner Transistoren in modernen Halbleiterbauelementen.

Da die Halbleitertechnologie in die neue Ära des 3D-Transistors eintritt, war der Bedarf an zerstörungsfreien, hochauflösenden 3D-Bildgebungsverfahren nie größer.

Während die Röntgenmikroskopie das Potenzial für die Nanometer-Skala-Defekterkennung in 3D-Halbleitergeräten besitzt, erfordert ihre Abbildungsleistung weitere Durchbrüche.