PhD Posizione nella metrologia di imaging e semiconduttore a raggi X computazionali — EPFL

Panoramica

Missione Il nuovo Laboratorio per la metrologia a raggi X Nanoscale sta cercando uno studente di dottorato motivato per sviluppare metodi computazionali e sperimentali per l'imaging 3D ad alta risoluzione.

In questo ruolo, contribuirai a stabilire nuovi parametri di performance della microscopia a raggi X spingendo i limiti della risoluzione dell'immagine e dello spessore del campione realizzabili per applicazioni semiconduttori.

Per raggiungere questo obiettivo, il progetto si concentrerà sui seguenti argomenti:

• Limitazioni di profondità: a una risoluzione di 1 nm, la profondità del campo si riduce a un centinaio di nanometri, ma l'elevata penetrazione dei raggi X consente l'imaging di campioni che sono diversi ordini di grandezza più spessa.

Il progetto svilupperà un ampio quadro di ricostruzione della profondità del campo per campioni 3D spessi.

• Mismatch Tra Teoria e Sperimentazione: I metodi di Ricostruzione si basano su modelli di formazione di immagini idealizzati, che si diffondono in condizioni di imaging estreme.

Ottenere immagini ad alte prestazioni richiede il miglioramento dei modelli e lo sviluppo di algoritmi di ottimizzazione computazionale robusti, per tenere conto di problemi come le vibrazioni sperimentali su scala nano.

• Imaging 3D ad alta efficienza: l'integrazione di questi metodi in tomografia e laminografia, e l'esecuzione di esperimenti basati su sincrotrone per visualizzare le caratteristiche precedentemente "unseen" nei moderni dispositivi semiconduttori.

Principali doveri e responsabilità Descrizione del progetto Le prestazioni della microscopia a raggi X sono migliorate in modo significativo nell'ultimo decennio, consentendo l'imaging a raggi X basato su sincrotroni per risolvere i singoli transistor nei moderni dispositivi a semiconduttore.

Poiché la tecnologia dei semiconduttori entra nella nuova era del transistor 3D, la necessità di metodi di imaging 3D non distruttivi e ad alta risoluzione non è mai stata maggiore.

Mentre la microscopia a raggi X possiede il potenziale per il rilevamento dei difetti su scala nanometrica nei dispositivi semiconduttori 3D, le sue prestazioni di imaging richiedono ulteriori scoperte.